是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | LBGA, BGA48,6X8,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.77 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | SRAM IS ORGANISED AS 256K X 8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 | 混合内存类型: | FLASH+SRAM |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 组织: | 2MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.00003 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB84VA2105 | FUJITSU |
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16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2105-10 | FUJITSU |
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16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2106 | FUJITSU |
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16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2106-10 | FUJITSU |
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16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2107 | FUJITSU |
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16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2107-10 | FUJITSU |
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16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM | |
MB84VA2108-10 | FUJITSU |
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
MB84VA2109-10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
MB84VB2000 | FUJITSU |
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8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY | |
MB84VB2000-10 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |