Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> MB84VA2107-10

MB84VA2107-10

更新时间： 2024-09-16 22:46:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
29页	398K
描述
16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM

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MB84VA2107-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LBGA, BGA48,6X8,40	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

MB84VA2107-10 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50109-1E

MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

16M (×16) FLASH MEMORY &

1M (× 8) STATIC RAM

MB84VA2106^-10/MB84VA2107^-10

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V

• High performance

100 ns maximum access time

• Operating Temperature

–20 to +85°C

— FLASH MEMORY

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• Sector erase architecture

One 8 K word, two 4 K words, one 16 K word, and thirty one 32 K words.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

MB84VA2106: Top sector

MB84VA2107: Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready-Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode.

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

Please refer to "MBM29LV160T/B" data sheet in detailed function

— SRAM

• Power dissipation

Operating: 35 mA max.

Standby : 30 µA max.

• Power down features using CE1s and CE2s

• Data retention supply voltage: 2.0 V to 3.6 V

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB84VA2108-10	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MB84VA2109-10	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MB84VB2000	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY
MB84VB2000-10	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY
MB84VB2001	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY
MB84VB2001-10	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY
MB84VD2002	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
MB84VD2002-10	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
MB84VD2003	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
MB84VD2003-10	FUJITSU	获取价格	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM

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