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MB84VD2009-10

更新时间： 2024-11-06 22:06:07

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富士通 - FUJITSU		存储
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30页	372K
描述
8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM

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MB84VD2009-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LBGA, BGA48,6X8,40	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.77
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

MB84VD2009-10 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50111-1E

MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

8M (× 16) FLASH MEMORY &

2M (× 16) STATIC RAM

MB84VD2008^-10/MB84VD2009^-10

■ FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V

• High performance

100 ns maximum access time

• Operating Temperature

–20 to +85°C

— FLASH MEMORY

• Simultaneous operations Read-while Erase or Read-while-Program

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• Sector erase architecture

Two 16 K byte, four 8 K bytes, two 32 K byte, and fourteen 64 K bytes.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

MB84VD2008: Top sector

MB84VD2009: Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready-Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode.

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

• Please refer to "MBM29DL800TA/BA" data sheet in detailed function

— SRAM

• Power dissipation

Operating: 50 mA max.

Standby : 50 µA max.

• Data retention supply voltage: 2.0 V to 3.6 V

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MB84VD21081-85-PTS	FUJITSU	获取价格	16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM
MB84VD21081DA-85PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA61, PLASTIC, BGA-61
MB84VD21081EA-85-PBS	FUJITSU	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56, PLASTIC, FBGA-56
MB84VD21081EA-85-PTS	FUJITSU	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO56, PLASTIC, TSOP1-56
MB84VD21081EM-70PBS	SPANSION	获取价格	16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM
MB84VD21081EM-70PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA56, PLASTIC, BGA-56
MB84VD21081EM-70PBS-E1	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA56, PLASTIC, FBGA-56
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