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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | LBGA, BGA48,6X8,40 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 16 |
| 混合内存类型： | FLASH+SRAM | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB84VA2109-10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 |
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| MB84VB2000 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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| MB84VB2000-10 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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| MB84VB2001 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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| MB84VB2001-10 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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| MB84VD2002 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
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| MB84VD2002-10 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
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| MB84VD2003 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
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| MB84VD2003-10 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
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| MB84VD2008 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM |
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