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M36W832TE70ZA1S PDF预览

M36W832TE70ZA1S

更新时间： 2024-11-23 22:21:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
64页 845K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W832TE70ZA1S 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：66
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.02Is Samacsys：N
其他特性：SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
长度：12 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：66
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W832TE70ZA1S 数据手册

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M36W832TE  
M36W832BE  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDS  
PPF  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ ACCESS TIMES: 70ns and 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
FBGA  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh  
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
FLASH MEMORY  
■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK  
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or  
Bottom Location)  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
SRAM  
■ 8 Mbit (512Kb x 16)  
■ ACCESS TIME: 70ns  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WPF for Block Lock-Down  
■ AUTOMATIC STANDBY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
May 2003  
1/64  
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M36W832TE70ZA1S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M36W432T85ZA6T STMICROELECTRONICS

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 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
RD38F1010C0ZTL0 INTEL

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 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W832TE70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA6 NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA6S STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA6S NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
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