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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W832TE85ZA6T
M36W832TE85ZA6T PDF预览

M36W832TE85ZA6T

更新时间： 2024-11-19 22:21:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存静态存储器
页数 文件大小 规格书
64页 845K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W832TE85ZA6T 数据手册

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M36W832TE  
M36W832BE  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDS  
PPF  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ ACCESS TIMES: 70ns and 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
FBGA  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh  
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
FLASH MEMORY  
■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK  
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or  
Bottom Location)  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
SRAM  
■ 8 Mbit (512Kb x 16)  
■ ACCESS TIME: 70ns  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WPF for Block Lock-Down  
■ AUTOMATIC STANDBY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
May 2003  
1/64  
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M36W832TE85ZA6T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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RD38F1010C0ZTL0 INTEL

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 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

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M36WT864 STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864B10ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
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M36WT864BF STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864BF100ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M36WT864BF100ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96
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