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M36WT864BF85ZA6

更新时间： 2024-02-05 19:24:08
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
92页 449K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96

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M36WT864BF85ZA6 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96
针数：96Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
其他特性：SRAM ORGANISATION IS 512K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B96
JESD-609代码：e0长度：14 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+SRAM
功能数量：1端子数量：96
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA96,8X14,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/2,3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36WT864BF85ZA6 数据手册

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M36WT864TF  
M36WT864BF  
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory  
and 8 Mbit (512K x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRODUCT PREVIEW  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
SRAM  
■ 8 Mbit (512K x 16 bit)  
■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 70ns  
– V  
– V  
– V  
= 1.65V to 2.2V  
DDF  
DDS  
PPF  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
■ LOW STANDBY CURRENT  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
■ ACCESS TIME: 70, 85, 100ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
■ TRI-STATE COMMON I/O  
■ AUTOMATIC POWER DOWN  
– Manufacturer Code: 20h  
Figure 1. Packages  
– Top Device Code, M36WT864TF: 8810h  
– Bottom Device Code, M36WT864BF: 8811h  
FLASH MEMORY  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs by Word typical for Fast Factory Program  
– Double/Quadruple Word Program option  
– Enhanced Factory Program options  
■ MEMORY BLOCKS  
FBGA  
– Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL OPERATIONS  
Stacked LFBGA96 (ZA)  
8 x 14mm  
– Program Erase in one Bank while Read in  
others  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
– One parameter block permanently lockable  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
July 2002  
1/92  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...92

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36WT864BF85ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96
M36WT864BFZA STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864T10ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864T85ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864TF STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memo
M36WT864TF100ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96
M36WT864TF100ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96, 8 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-96
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