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M36W832T100ZA1T

更新时间： 2024-11-24 19:26:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	347K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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M36W832T100ZA1T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.03	其他特性：	ALSO CONTAINS 512K X 16 SRAM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M36W832T100ZA1T 数据手册

M36W832T

M36W832B

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 8 Mbit (512K x16) SRAM, Multiple Memory Product

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

SRAM

■ 8 Mbit (512K x 16 bit)

– V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDS

PPF

■ ACCESS TIME: 70ns

= V

= 2.7V to 3.3V

DDQF

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

= 12V for Fast Program (optional)

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

■ ACCESS TIME: 85,100ns

CHIP ENABLE INPUTS

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

Figure 1. Packages

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W832T: 88BAh

– Bottom Device Code, M36W832B: 88BBh

FLASH MEMORY

■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK

FBGA

– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or

Bottom Location)

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

Stacked LFBGA66 (ZA)

8 x 8 ball array

– Double Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WPF for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ SECURITY

– 64 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One parameter block permanently lockable

May 2001

1/59

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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M36W832TE100ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE70ZA1S	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA1S	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA6	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA6S	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc

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