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M36W832TE100ZA6

更新时间： 2024-11-21 06:21:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 350K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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M36W832TE100ZA6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
针数：66Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.29
最长访问时间：100 ns其他特性：ALSO CONTAINS 512K X 16 SRAM
JESD-30 代码：R-PBGA-B66JESD-609代码：e0
长度：12 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：66字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA66,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mm

M36W832TE100ZA6 数据手册

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M36W832TE  
M36W832BE  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 8 Mbit (512K x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRODUCT PREVIEW  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
SRAM  
■ 8 Mbit (512K x 16 bit)  
■ ACCESS TIME: 70ns  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDS  
PPF  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
= 12V for Fast Program (optional)  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
■ ACCESS TIME: 85,100ns  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
Figure 1. Packages  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh  
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh  
FLASH MEMORY  
■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK  
FBGA  
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or  
Bottom Location)  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
8 x 8 ball array  
– Double Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WPF for Block Lock-Down  
■ AUTOMATIC STAND-BY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ SECURITY  
– 64 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
– One parameter block permanently lockable  
July 2002  
1/59  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...59

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与M36W832TE100ZA6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W832TE100ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE70ZA1S STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA1S NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA6 NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA6S NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832TE70ZA6T STMICROELECTRONICS

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