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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 59页 | 350K |  |
| 描述 | ||
| Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66 |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.29 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | ALSO CONTAINS 512K X 16 SRAM |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B66 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 16 |
| 混合内存类型： | FLASH+SRAM | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA66,8X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M36W832TE100ZA6 | STMICROELECTRONICS |
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Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66 |
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| M36W832TE100ZA6T | STMICROELECTRONICS |
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SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66 |
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| M36W832TE70ZA1S | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc |
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| M36W832TE70ZA1S | NUMONYX |
获取价格 |
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
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| M36W832TE70ZA1T | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc |
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| M36W832TE70ZA6 | NUMONYX |
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Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
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| M36W832TE70ZA6S | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc |
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| M36W832TE70ZA6S | NUMONYX |
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Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
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| M36W832TE70ZA6T | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc |
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| M36W832TE70ZA6T | NUMONYX |
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Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
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