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M36W832BE85ZA6T

更新时间： 2024-11-23 22:21:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
64页	845K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W832BE85ZA6T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
针数：	66	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.02
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA66,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M36W832BE85ZA6T 数据手册

M36W832TE

M36W832BE

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDS

PPF

= V

= 2.7V to 3.3V

DDQF

= 12V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIMES: 70ns and 85ns

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

FBGA

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh

– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh

Stacked LFBGA66 (ZA)

12 x 8mm

FLASH MEMORY

■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK

– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or

Bottom Location)

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

SRAM

■ 8 Mbit (512Kb x 16)

■ ACCESS TIME: 70ns

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WPF for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STANDBY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ SECURITY

– 128 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

May 2003

1/64

12 3 4 5 6 7...64

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W832BEZA	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832T100ZA1T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832T100ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE100ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE70ZA1S	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE70ZA1S	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66

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