Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W832BE85ZA1S

M36W832BE85ZA1S

更新时间： 2024-11-23 22:19:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
64页	845K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W832BE85ZA1S 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.02	Is Samacsys：	N
其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B66
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W832BE85ZA1S 数据手册

M36W832TE

M36W832BE

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDS

PPF

= V

= 2.7V to 3.3V

DDQF

= 12V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIMES: 70ns and 85ns

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

FBGA

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh

– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh

Stacked LFBGA66 (ZA)

12 x 8mm

FLASH MEMORY

■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK

– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or

Bottom Location)

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

SRAM

■ 8 Mbit (512Kb x 16)

■ ACCESS TIME: 70ns

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WPF for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STANDBY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ SECURITY

– 128 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

May 2003

1/64

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M36W832BE85ZA1T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832BE85ZA6S	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832BE85ZA6S	NUMONYX	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832BE85ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832BE85ZA6T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832BEZA	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832T100ZA1T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832T100ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
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