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M36W832BE85ZA1T

更新时间： 2024-11-24 19:58:51
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 897K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66

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M36W832BE85ZA1T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：66
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.02其他特性：SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B66长度：12 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：66字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M36W832BE85ZA1T 数据手册

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M36W832TE  
M36W832BE  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDS  
PPF  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ ACCESS TIMES: 70ns and 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
FBGA  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh  
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
FLASH MEMORY  
■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK  
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or  
Bottom Location)  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
SRAM  
■ 8 Mbit (512Kb x 16)  
■ ACCESS TIME: 70ns  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WPF for Block Lock-Down  
■ AUTOMATIC STANDBY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
May 2003  
1/64  
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M36W832BE85ZA1T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M36W432T85ZA6T STMICROELECTRONICS

功能相似

 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
RD38F1010C0ZTL0 INTEL

功能相似

 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

与M36W832BE85ZA1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W832BE85ZA6S STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832BE85ZA6S NUMONYX

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832BE85ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832BE85ZA6T NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W832BEZA STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832T100ZA1T NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832T100ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W832TE100ZA1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W832TE100ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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