M36L0R8060B1

更新时间： 2024-02-10 23:56:02

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	392K
描述
256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package

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M36L0R8060B1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数：	88	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	其他特性：	PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+PSRAM	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00011 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.052 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M36L0R8060B1 数据手册

M36L0R8060T1

M36L0R8060B1

256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory

and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package

FEATURES SUMMARY

■

MULTI-CHIP PACKAGE

Figure 1. Package

–

1 die of 256 Mbit (16Mb x16, Multiple

Bank, Multi-level, Burst) Flash Memory

–

1 die of 64 Mbit (4Mb x16) Pseudo SRAM

■

SUPPLY VOLTAGE

–

= V

= 1.7 to 1.95V

DDF

PPF

CCP

DDQF

FBGA

= 9V for fast program (12V tolerant)

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code

M36L0R8060T1: 880Dh

TFBGA88 (ZAQ)

8 x 10mm

–

Bottom Device Code

M36L0R8060B1: 880Eh

■

PACKAGE

–

Compliant with Lead-Free Soldering

Processes

–

Lead-Free Versions

FLASH MEMORY

■

BLOCK LOCKING

■

SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

–

All blocks locked at power-up

Any combination of blocks can be locked

with zero latency

–

Synchronous Burst Read mode: 54MHz

Asynchronous Page Read mode

Random Access: 85ns

–

WP for Block Lock-Down

Absolute Write Protection with V

■

SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND

PROGRAMMING TIME

= V

PPF

■

COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

–

10µs typical Word program time using

Buffer Enhanced Factory Program

command

PSRAM

■

MEMORY ORGANIZATION

■

ACCESS TIME: 70ns

ASYNCHRONOUS PAGE READ

–

Multiple Bank Memory Array: 16 Mbit

Banks

■

–

Page Size: 16 words

Subsequent read within page: 20ns

–

Parameter Blocks (Top or Bottom

location)

DUAL OPERATIONS

■

LOW POWER FEATURES

–

program/erase in one Bank while read in

others

–

Temperature Compensated Refresh

(TCR)

–

No delay between read and write

operations

–

Partial Array Refresh (PAR)

Deep Power-Down (DPD) Mode

SECURITY

SYNCHRONOUS BURST READ/WRITE

–

64 bit unique device number

2112 bit user programmable OTP Cells

June 2005

1/18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36L0R8060B1ZAQ	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36L0R8060B1ZAQE	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V
M36L0R8060B1ZAQF	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V
M36L0R8060B1ZAQT	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V
M36L0R8060L3ZAME	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
M36L0R8060L3ZAMF	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
M36L0R8060L3ZSE	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA56, 8 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-56
M36L0R8060T0	STMICROELECTRONICS	获取价格	256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V Supp
M36L0R8060T0ZAQE	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, STACK, TFBGA-8
M36L0R8060T0ZAQF	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, STACK, TFBGA-8

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