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LNC701PS

更新时间： 2024-10-17 22:31:11

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松下 - PANASONIC		半导体
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2页	44K
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GaAlAs Semiconductor Laser

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LNC701PS 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	60 °C
最低工作温度：	-10 °C	光电设备类型：	LASER DIODE
标称输出功率：	35 mW	峰值波长：	785 nm
形状：	ROUND	尺寸：	1 mm
子类别：	Laser Diodes	表面贴装：	NO
最大阈值电流：	30 mA	Base Number Matches：	1

LNC701PS 数据手册

Semiconductor Laser

LNC701PS

GaAlAs Semiconductor Laser

ø5.6

–0.025

Unit : mm

ø4.3±0.1

ø3.55±0.1

ø1.0 min.

Features

Low threshold current

Junction plane

Stable single horizontal mode oscillation

Long lifetime, high reliability

1.0±0.1

Reference slot

Kovar glass

LD pellet

Reference plane

Applications

Optical data processing devices

ø1.2 max.

3-ø0.45

Optical disk memory drive

Optical measuring equipment

1: LD anode

2: Common case

3: PD cathode

ø2.0

Bottom view

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

P_O

Ratings

Unit

Laser

V_R

Reverse voltage

V_R(PIN)

P_d(PIN)

T_opr

Power dissipation

100

˚C

Operating ambient temperature

Storage temperature

–10 to +60

– 40 to +80

T_stg

˚C

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Threshold current

Operating current

Operating voltage

Oscillation wavelength

Symbol

I_th

Conditions

min

typ

max

Unit

I_OP

V_OP

λ_L

CW P_O= 30mW

CW P_O= 3 - 30mW

CW P_O= 30mW, V_R(PIN) = 5V

V_R(PIN) = 15V

2.0

785

2.5

790

11.5

780

8.5

Horizontal direction^*1

θ_//

deg.

Radiation angle

Vertical direction^*1

Differential efficiency

PIN photo current

0.8

1.0

0.3

1.2

I_P

µA

Reverse current (DC)

I_R

0.1

X direction

θ_X

CW P_O= 30mW

–2.0

–3.0

+2.0

+3.0

deg.

Optical axis

accuracy

Y direction

θ_Y

^*1The radiation angle is indicated as the full angle at half maximum.

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