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LNC710PS

更新时间： 2024-10-17 23:47:35

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其他 - ETC		光电光电器件二极管
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2页	61K
描述
Opto-Electronic Device - Light Emitting Diodes - Laser

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LNC710PS 数据手册

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Laser Diode

LNC710PS

AlGaAs-Infrared Laser Diode

Unit : mm

■ Features

φ2.0

• Oscillation wavelength: 784 nm

• Radiant power: 130 mW (with 260 mW pulse)

• Small package: φ5.6 mm

(2)

(3)

1

X

3

2

(1)

1.0

Y

■ Applications

• CD-R/RW

+0

φ5.6

-

0.025

φ1.0

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Referance Plane

Parameter

Radiant power

Symbol

P_O

Rating

130

Unit

mW

mW

V

CW

Pulse

Laser

PIN

3- φ0.45

P_O

260

1 : LD Anode

2 : Common Case

3 : PD Cathode

L5 Package

Reverse voltage

V_R

2

V_R(PIN)

P_D(PIN)

T_opr

30

V

Power dissipation

150

mW

°C

Operating ambient temperature

Storage temperature

−10 to +60

−40 to +80

Internal Connection

T_stg

°C

2

LD

1

3

■ Electro-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Threshold current

Symbol

I_th

Conditions

Min

20

Typ

Max

40

Unit

mA

mA

V

CW

27

150

2.1

784

1.05

9.0

17.0



Operating current

I_OP

V_OP

λ_L

CW, P_O= 130 mW

120

1.8

180

2.5

Operating voltage

Oscillation wavelength

Differential efficiency

Beam radiation angle Horizontal

Vertical

780

0.85

8.0

787

1.20

10.5

19.0

+1.5

+2.0

3

nm

W/A

°

η

CW, P_O= 125/I_OP(130 mW) − I_OP(5 mW)

CW, P_O= 130 mW

θ_//

θ_⊥

15.0

−1.5

−2.0



°

Optical axis accuracy X direction

Y direction

θ_X

°

θ_Y



°

Astigmatism difference ^*

Accuracy of emission point

As



µm

µm

µm

µm

∆

−80

−80

−80



+80

+80

+80

X

∆



Y

∆



Z

Note) : Guarantee of Designed Specification.

*

Publication date: November 2003

SHB00002AED

1

12

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