LNC802PS

更新时间： 2024-10-17 22:29:11

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松下 - PANASONIC		半导体光电二极管激光二极管
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GaAlAs Semiconductor Laser

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LNC802PS 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：	0.1 A	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	60 °C
最低工作温度：	-10 °C	光电设备类型：	LASER DIODE
峰值波长：	830 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1 mm	子类别：	Laser Diodes
表面贴装：	NO	最大阈值电流：	50 mA
Base Number Matches：	1

LNC802PS 数据手册

Semiconductor Laser

LNC802PS

GaAlAs Semiconductor Laser

ø5.6

–0.025

Unit : mm

ø4.3±0.1

ø3.55±0.1

ø1.0 min.

Features

Low threshold current

Junction plane

Stable single horizontal mode oscillation

Long lifetime, high reliability

1.0±0.1

Reference slot

Kovar glass

LD pellet

High radiant power : 50mW

Reference plane

ø1.2 max.

3-ø0.45

Applications

Optical data processing devices

Optical disk memory

Medical equipment

1: LD Anode

2: Common Case

3: PD Cathode

ø2.0

Bottom view

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

P_O

Ratings

Unit

Laser

V_R

1.5

Reverse voltage

V_R(PIN)

P_d(PIN)

T_opr

Power dissipation

100

˚C

Operating ambient temperature

Storage temperature

–10 to +60

– 40 to +80

T_stg

˚C

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Threshold current

Operating current

Operating voltage

Oscillation wavelength

Symbol

I_th

Conditions

min

typ

max

Unit

I_OP

CW P_O= 40mW

100

3.0

845

V_OP

λ_L

CW P_O= 40mW

2.0

830

CW P_O= 40mW

815

Horizontal direction

Vertical direction

θ_//

CW P_O= 40mW

deg.

Radiation angle

CW P_O= 40mW

0.6

Differential efficiency

PIN photo current

CW P_O= 36mW/I(40mW – 4mW)

CW P_O= 40mW, V_R(PIN) = 5V

V_R(PIN) = 15V

1.0

1.5

I_P

µA

Reverse current (DC)

I_R

θ_X

θ_Y

0.1

X direction

Y direction

CW P_O= 40mW

–2.0

–3.0

+2.0

+3.0

deg.

Optical axis

accuracy

CW P_O= 40mW

The radiation angle is indicated as half full angles.

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