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LNC702PS

更新时间： 2024-10-17 22:31:11

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松下 - PANASONIC		半导体
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2页	43K
描述
GaAlAs Semiconductor Laser

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LNC702PS 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	峰值波长：	795 nm
形状：	ROUND	尺寸：	1 mm
子类别：	Laser Diodes	表面贴装：	NO
最大阈值电流：	40 mA

LNC702PS 数据手册

Semiconductor Laser

LNC702PS

GaAlAs Semiconductor Laser

ø5.6

Unit : mm

–0.025

ø4.3±0.1

ø3.55±0.1

ø1.0 min.

Features

Low threshold current

Junction plane

Stable single horizontal mode oscillation

Low drooping

Reference plane

1.0±0.1

Reference slot

Reference plane

Applications

Optical data processing devices

3-ø0.45

Laser beam printers

1: LD Anode

2: Common Case

3: PD Cathode

ø2.0

Bottom view

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

P_O

Ratings

Unit

Laser

V_R

Reverse voltage

V_R(PIN)

P_d(PIN)

T_opr

Power dissipation

˚C

Operating ambient temperature

Storage temperature

–10 to +60

– 40 to +85

T_stg

˚C

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Threshold current

Operating current

Operating voltage

Oscillation wavelength

Symbol

I_th

Conditions

min

typ

max

Unit

I_OP

CW P_O= 5mW

V_OP

CW P_O= 5mW

1.9

795

2.5

810

λ_L

CW P_O= 5mW

780

Horizontal direction

Vertical direction

θ_//

CW P_O= 5mW

deg.

µA

Radiation angle

CW P_O= 5mW

0.3

PIN photo current

I_P

I_R

CW P_O= 5mW, V_R(PIN) = 5V

V_R(PIN) = 15V

0.8

1.6

0.1

+2.0

+3.0

Reverse current (DC)

X direction

θ_X

CW P_O= 5mW

–2.0

–3.0

deg.

Optical axis

accuracy

Y direction

θ_Y

CW P_O= 5mW

^*1The radiation angle is indicated as half full angle.

^*2Sampling inspections are to be performed.

On each wafer, n = 10 samplings are to be performed, with an evaluation criterion of zero rejects.

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