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LNC703PS

更新时间： 2024-10-17 22:31:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 半导体
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
Semiconductor Laser for LBPLaser Beam Printers

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LNC703PS 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：60 °C最低工作温度：-10 °C
光电设备类型：LASER DIODE峰值波长：785 nm
形状：ROUND尺寸：1 mm
子类别：Laser Diodes表面贴装：NO
最大阈值电流：35 mABase Number Matches：1

LNC703PS 数据手册

 浏览型号LNC703PS的Datasheet PDF文件第2页 
Semiconductor Laser  
LNC703PS  
Semiconductor Laser for LBP(Laser Beam Printers)  
+0  
ø5.6  
Unit : mm  
–0.025  
ø4.3±0.1  
2
ø3.55±0.1  
ø1.0 min.  
Overview  
The LNC703PS is a near infrared GaAlAs laser diode which  
provides continuous oscillation in single mode and is stable at low  
operating current. This product is characterized by a low operating  
current and low drooping, making it suitable for a wide range of  
LD  
PD  
3
1
Junction plane  
Reference plane  
1.0±0.1  
Reference slot  
optical information equipment.  
Kovar glass  
LD pellet  
Reference plane  
Features  
Low current operations : 40 mA (with 12 mW output)  
ø1.2max.  
3-ø0.45  
High output (15 mW) for increased printing speed  
Stable single horizontal mode oscillation  
Low astigmatic difference  
2
1
3
1: LD Anode  
2: Common Case  
3: PD Cathode  
ø2.0  
Low drooping  
Bottom view  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Radiant power  
Symbol  
PO  
Ratings  
Unit  
mW  
V
15  
2
Laser  
PIN  
VR  
Reverse voltage  
VR (PIN)  
Pd (PIN)  
Topr  
30  
V
Power dissipation  
100  
mW  
˚C  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
–10 to +60  
– 40 to +80  
Tstg  
˚C  
Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Threshold current  
Operating current  
Operating voltage  
Oscillation wavelength  
Symbol  
Ith  
Conditions  
min  
typ  
20  
max  
Unit  
mA  
CW  
10  
30  
35  
70  
IOP  
PO = 12mW  
40  
mA  
VOP  
λL  
PO = 12mW  
2.0  
785  
10  
2.5  
795  
12  
V
PO = 12mW  
775  
7
nm  
*
Horizontal direction  
Vertical direction  
θ//  
PO = 12mW  
deg.  
deg.  
mW/mA  
µ A  
Radiation angle  
*
θ
PO = 12mW  
18  
0.4  
25  
32  
Differential efficiency  
Reverse current (DC)  
PIN photo current  
η
PO = 9mW/I(12mW) – I(3mW)  
VR (PIN) = 5V  
0.7  
1.0  
0.1  
IR  
IP  
PO = 12mW, VR (PIN) = 5V  
PO = 12mW  
0.3  
4
mA  
X direction  
Y direction  
θX  
θY  
Dr  
–2.0  
–3.0  
+2.0  
+3.0  
10  
deg.  
deg.  
%
Optical axis  
accuracy  
PO = 12mW  
Droop  
PO = 12mW, f = 600Hz, duty10% to 90%  
Oscillation mode  
Single horizontal mode  
*
θ// and θ are the angles where the optical intencity is a half of its max. value. ( half full angle )  
1
12

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