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LMC660AIMX/NOPB PDF预览

LMC660AIMX/NOPB

更新时间： 2024-11-24 19:29:11
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 864K
描述
IC QUAD OP-AMP, 3300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDSO14, ROHS COMPLIANT, SOIC-14, Operational Amplifier

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LMC660AIMX/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.05放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.000004 µA
最小共模抑制比：70 dB标称共模抑制比：83 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：3300 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.6235 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1负供电电压上限：
标称负供电电压 (Vsup)：功能数量：4
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5/15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最小摆率：0.8 V/us
标称压摆率：1.1 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：2.6 mA供电电压上限：16 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40标称均一增益带宽：1400 kHz
最小电压增益：100000宽度：3.899 mm
Base Number Matches：1

LMC660AIMX/NOPB 数据手册

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June 2006  
LMC660  
CMOS Quad Operational Amplifier  
n Low input offset voltage: 3 mV  
General Description  
n Low offset voltage drift: 1.3 µV/˚C  
n Ultra low input bias current: 2 fA  
n Input common-mode range includes V−  
n Operating range from +5V to +15.5V supply  
n ISS = 375 µA/amplifier; independent of V+  
n Low distortion: 0.01% at 10 kHz  
n Slew rate: 1.1 V/µs  
The LMC660 CMOS Quad operational amplifier is ideal for  
operation from a single supply. It operates from +5V to  
+15.5V and features rail-to-rail output swing in addition to an  
input common-mode range that includes ground. Perfor-  
mance limitations that have plagued CMOS amplifiers in the  
past are not a problem with this design. Input VOS, drift, and  
broadband noise as well as voltage gain into realistic loads  
(2 kΩ and 600Ω) are all equal to or better than widely  
accepted bipolar equivalents.  
Applications  
This chip is built with National’s advanced Double-Poly  
Silicon-Gate CMOS process.  
n High-impedance buffer or preamplifier  
n Precision current-to-voltage converter  
n Long-term integrator  
See the LMC662 datasheet for a dual CMOS operational  
amplifier with these same features.  
n Sample-and-Hold circuit  
n Peak detector  
n Medical instrumentation  
n Industrial controls  
Features  
n Rail-to-rail output swing  
n Specified for 2 kΩ and 600Ω loads  
n High voltage gain: 126 dB  
n Automotive sensors  
Connection Diagram  
14-Pin SOIC/MDIP  
LMC660 Circuit Topology (Each Amplifier)  
00876704  
00876701  
© 2006 National Semiconductor Corporation  
DS008767  
www.national.com  
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LMC660AIMX/NOPB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
LMC660AIM NSC

完全替代

 CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660CM NSC

类似代替

 CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660AIMX NSC

功能相似

 CMOS Quad Operational Amplifier

与LMC660AIMX/NOPB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LMC660AIMXEP TI

获取价格

 		QUAD OP-AMP, 3300uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SOP-14
LMC660AIN NSC

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 		CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660AIN/NOPB NSC

获取价格

 		IC QUAD OP-AMP, 3300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDIP14, ROHS COMPLIANT, DIP-14, Op
LMC660AIN/NOPB TI

获取价格

 		四路、15.5V、1.4MHz 运算放大器 | N | 14 | -40 to 85
LMC660AINEP NSC

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 		暂无描述
LMC660AINEP TI

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 		QUAD OP-AMP, 3300 uV OFFSET-MAX, 1.4 MHz BAND WIDTH, PDIP14
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 		CMOS Quad Operational Amplifier
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 		QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP14, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, C
LMC660AMJ/883 NSC

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 		CMOS Quad Operational Amplifier
LMC660AMJ/883 TI

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 		QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1.4MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14

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