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LBAS16TT1G

更新时间： 2024-01-10 18:32:15

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	237K
描述
Silicon Switching Diode

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LBAS16TT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.715 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.006 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

LBAS16TT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

LBAS16TT1G, S-LBAS16TT1G

100

T = 150°C

T = 125°C

1.0

T = 85°C

0.1

0.01

T = 25°C

T = 55°C

1.0

0.1

T = -ā40°C

T = 25°C

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V , FORWARD VOLTAGE (VOLTS)

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 4. Forward Voltage

Figure 5. Leakage Current

0.68

0.64

0.60

0.56

0.52

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 6. Capacitance

Rev.O 3/4

1 234

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