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LBAS21SLT1

更新时间： 2024-01-23 09:58:31

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乐山 - LRC		二极管开关高压
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3页	59K
描述
High Voltage Switching Diode

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LBAS21SLT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	0.625 A	最高工作温度：	150 °C
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LBAS21SLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Switching Diode

LBAS21SLT1

FETURE

• Pb-Free Package is available.

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

ANODE

CATHODE

Continuous Reverse Voltage

Peak Forward Current

250

225

625

Vdc

mAdc

Peak Forward Surge Current

I _FM(surge)

CATHODE/ANODE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

°C/W

°C

T_J, T_stg

–55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Voltage Leakage Current

I _R

µAdc

(V = 200Vdc)

—

0.1

(V = 200Vdc, T = 150°C)

100

Reverse Breakdown Voltage

V _(BR)

V _F

250

—

Vdc

(I = 100 µAdc)

Forward Voltage

(I = 100 mAdc)

—

1000

1250

(I = 200 mAdc)

Diode Capacitance

C _D

t _rr

—

5.0

(V = 0, f = 1.0 MHz)

Reverse Recovery Time

(I = I = 30mAdc, R = 100 Ω)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

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LBAS21SLT1

3000/Tape&Reel

(Pb-Free)

LBAS21SLT1G

3000/Tape&Reel

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12 3

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