5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LBAS16TW1T1G
LBAS16TW1T1G PDF预览

LBAS16TW1T1G

更新时间： 2024-11-06 01:18:43
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

LBAS16TW1T1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：3
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：75 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

LBAS16TW1T1G 数据手册

 浏览型号LBAS16TW1T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBAS16TW1T1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LBAS16TW1T1G  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
LBAS16TW1T1G  
S-LBAS16TW1T1G  
Features  
Fast Switching Speed  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Also Available in Lead Free Version  
z
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101  
Qualified and PPAP Capable.  
Pb-Free package is available  
DEVICE MARKING  
LBAS16TW1T1G=KA2  
Maximum Ratings  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
300  
150  
mA  
mA  
IO  
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
2.0  
1.0  
IFSM  
A
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ T = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
¾
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 1mA  
75  
V
0.715  
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.855  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
Reverse Current (Note 2)  
¾
V
1.0  
1.25  
V
V
R = 75V  
1.0  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
R = 75V, Tj = 150°C  
IR  
¾
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
2.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
Rev.O 1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与LBAS16TW1T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LBAS16TW1T1G_15 LRC

获取价格

 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
LBAS16WT1 LRC

获取价格

 		Silicon Switching Diode
LBAS170HT1G LRC

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE Schottky diode for high-speed switching
LBAS170HT3G LRC

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE Schottky diode for high-speed switching
LBAS20HT1 LRC

获取价格

 		High Voltage Switching Diode
LBAS21CLT1G LRC

获取价格

 		High Voltage Switching Diode
LBAS21CLT3G LRC

获取价格

 		High Voltage Switching Diode
LBAS21HT1 LRC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
LBAS21HT1G LEIDITECH

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
LBAS21HT3G LEIDITECH

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE

与LBAS16TW1T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证