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LBAS20HT1

更新时间： 2024-11-05 11:39:51

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乐山 - LRC		二极管开关高压
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
High Voltage Switching Diode

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LBAS20HT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	0.625 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LBAS20HT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage

LBAS20HT1

Switching Diode

• Device Marking: JR

CATHODE

ANODE

SOD– 323

MARKING DIAGRAM

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

3000/Tape & Reel

JR M

LBAS20HT1

SOD–323

Preferred: devices are recommended choices for future use and best overall value.

JR= Specific Device Code

M = Date Code

MAXIMUMRATINGS

Rating

Symbol

V_R

Value

250

Unit

Vdc

Continuous Reverse Voltage

Peak Forward Current

I _F

200

mAdc

Peak Forward Surge Current

I_FM(surge)

625

THERMALCHARACTERISTICS

Characteristic

Total Device Dissipation FR–5 Board,*

T_A= 25°C

Symbol

Max

Unit

200

Derate above 25°C

1.57

635

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage

R_θJA

T_J, T_stg

–55 to+150

°C

Temperature Range

*FR–5 Minimum Pad

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Voltage Leakage Current

(V_R= 200 Vdc)

Symbol

Min

Max

Unit

I_R

µAdc

–

1.0

100

–

(V_R= 200 Vdc, T_J= 150°C)

Reverse Breakdown Voltage

(I_BR= 100 µAdc)

V_(BR)

V_F

250

Vdc

Forward Voltage

(I_F= 100 mAdc)

–

1000

1250

5.0

(I_F= 200 mAdc)

Diode Capacitance

C_D

t_rr

(V_R= 0, f = 1.0 MHz)

Reverse Recovery Time

(I_F= I_R= 30 mAdc, R_L= 100 Ω)

–

LBAS20HT1–1/2

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