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LBAS21CLT3G

更新时间： 2024-01-06 14:57:21

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乐山 - LRC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	273K
描述
High Voltage Switching Diode

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LBAS21CLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	0.625 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.225 W	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

LBAS21CLT3G 数据手册

LBAS21CLT1G

S-LBAS21CLT1G

High Voltage Switching Diode

1. FEATURES

● We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements and Halogen Free.

● S- prefix for automotive and other applications requiring

unique site and control change requirements; AEC-Q101

qualified and PPAP capable.

SOT23(TO-236)

2. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES

Device

Marking

Shipping

LBAS21CLT1G

LBAS21CLT3G

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

IFSM

Limits

250

225

Unit

Continuous reverse voltage

Peak Forward Current

Peak Forward Surge Current

625

4. THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Unit

Symbol

Limits

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (Note 1)

TA = 25°C

Derate above 25°C

Thermal resistance from junction to ambient

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25°C

Derate above 25°C

Thermal resistance from junction to ambient

Junction and Storage Temperature

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

225

1.8

mW/℃

℃/W

RθJA

556

300

2.4

mW/℃

℃/W

℃

RθJA

417

TJ , Tstg

-55~+150

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.B Jul. 2017

1/4

12 3 4

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