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KU310N10D

更新时间： 2024-11-20 11:32:27
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KEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 406K
描述
N-ch Trench MOS FET

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KU310N10D 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KU310N10D 数据手册

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KU310N10D  
N-ch Trench MOS FET  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,  
Synchronous Rectification and a load switch in battery powered  
applications  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
6.60 + 0.20  
A
B
C
D
E
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
FEATURES  
H
J
_
1.80+0.20  
· VDSS= 100V, ID= 27A  
· Drain-Source ON Resistance :  
RDS(ON)=31mΩ (Max.) @VGS = 10V  
E
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
0.50+0.10  
F
F
M
M
N
0.70 MIN  
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
1
2
3
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
100  
±20  
27  
V
V
DPAK (1)  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
17  
A
IDP  
Pulsed (Note1)  
110*  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
60  
2.3  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
52  
0.42  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
Derate above 25℃  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tstg  
-55 ~ 150  
℃
Thermal Characteristics  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.4  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
110  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
PIN CONNECTION  
D
G
S
2011. 1. 21  
Revision No : 0  
1/7  
1234567

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