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KU310N10P

更新时间： 2024-11-20 11:32:27
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KEC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 408K
描述
N-ch Trench MOS FET

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KU310N10P 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KU310N10P 数据手册

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KU310N10P  
N-ch Trench MOS FET  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
A
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,  
Synchronous Rectification and a load switch in battery powered  
applications  
O
C
F
E
I
DIM MILLIMETERS  
G
Q
_
9.9 + 0.2  
A
B
C
D
E
F
B
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
_
0.8 + 0.1  
_
3.6 0.2  
+
FEATURES  
K
_
2.8 + 0.1  
P
· VDSS= 100V, ID= 34A  
· Drain-Source ON Resistance :  
RDS(ON)=31mΩ (Max.) @VGS = 10V  
3.7  
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
G
H
I
M
N
L
J
D
_
13.08 + 0.3  
J
1.46  
H
K
L
M
N
O
P
N
_
1.4 0.1  
+
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
_
1.27 0.1  
+
_
2.54 0.2  
+
_
4.5 0.2  
+
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
_
2.4 0.2  
+
_
9.2 +0.2  
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
Q
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
100  
±20  
34  
V
V
TO-220AB  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
21.5  
110*  
A
IDP  
Pulsed (Note1)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
EAS  
60  
2.3  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
V/ns  
83.3  
0.67  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
Derate above 25℃  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
Tstg  
-55 ~ 150  
℃
Thermal Characteristics  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.5  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
62.5  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
PIN CONNECTION  
D
G
S
2011. 1. 20  
Revision No : 0  
1/7  
1234567

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