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KTD1304

更新时间： 2024-01-07 06:04:40

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SECOS		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	245K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

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KTD1304 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84

KTD1304 数据手册

KTD1304

0.3 A, 25 V

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen and lead free

FEATURES

High emitter-base voltage: V_EBO=12V(Min)

low on resistance: Ron=0.6Ω(max)(I_B=1mA)

PACKAGE DIMENSIONS

SOT-23

Min

Collector

Dim

Max

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Base

Emitter

Top View

All Dimension in mm

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

Ratings

Unit

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

V_CEO

V_EBO

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

I_C

300

200

T_J, T_STG

+150, -55 ~ +150

℃

CHARACTERISTICS at Ta = 25°C

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

I_C= 100 uA

BVCEO

BVEBO

I_CBO

I_C= 1 mA

I_E= 100 uA

0.1

V_CB= 25 V

I_EBO

0.1

V_EB= 12 V

h_{FE1 (FORWARD)}

h_{FE1 (REVERSE)}

V_CE(sat)

V_BE(sat)

200

1000

V_CE= 2 V, I_C=4 mA

0.25

I_C=100 mA, I_B=10 mA

0.6

MHz

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, f = 100 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_IN=0.3 V, I_B=1mA, f=1KHz

C_OB

R_(ON)

01-June-2005 Rev. A

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