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KTD1347 PDF预览

KTD1347

更新时间： 2024-09-27 22:32:03
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KEC 晶体驱动器继电器晶体管开关局域网
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3页 90K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (VOLTAGE REGULATOR RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT)

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KTD1347 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, R-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：35JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：R-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

KTD1347 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTD1347  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS  
LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT  
B
D
FEATURES  
ᴌAdoption of MBIT processes.  
ᴌLow collector-to-emitter saturation voltage.  
ᴌFast switching speed.  
DIM MILLIMETERS  
P
DEPTH:0.2  
A
B
C
D
7.20 MAX  
5.20 MAX  
0.60 MAX  
C
Q
S
ᴌLarge current capacity and wide ASO.  
ᴌComplementary to KTB985.  
2.50 MAX  
E
F
1.15 MAX  
1.27  
K
G
H
J
1.70 MAX  
0.55 MAX  
14.00+0.50  
F
F
_
K
L
M
0.35 MIN  
H
H
H
_
0.75+0.10  
E
4
25  
1.25  
Φ1.50  
0.10 MAX  
M
M
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
N
O
P
Q
R
S
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Vollector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
L
1
2
3
H
N
N
60  
_
12.50+0.50  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
1.00  
50  
V
6
V
Collector Current  
3
A
TO-92L  
ICP  
Collector Current (Pulse)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
6
1
A
PC  
W
ᴱ
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN. TYP. MAX. UNIT.  
VCB=40V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
-
-
-
1
1
ὧ
ὧ
IEBO  
-
100  
35  
-
hFE (1) (Note)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=2V, IC=100Ὠ  
VCE=2V, IC=3A  
IC=2A, IB=100Ὠ  
IC=2A, IB=100Ὠ  
VCE=10V, IC=50Ὠ  
VCB=10V, IE=0, f=1ὲ  
PW=20µs  
-
400  
-
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.19  
0.94  
150  
25  
0.5  
1.2  
-
V
V
-
-
ὲ
ὸ
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
B1  
<
DC 1%  
=
ton  
tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
70  
650  
35  
-
-
-
R8  
I
INPUT  
B2  
25  
VR  
50  
Switching  
Storage Time  
Time  
nS  
100µ  
470µ  
-5V  
10I 1=-10I =I =1A  
25V  
Fall Time  
B
B2  
C
Note : hFE (1) Classification A:100ᴕ200, B:140ᴕ280, C:200ᴕ400  
1999. 11. 30  
Revision No : 1  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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