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KTD1351GR

更新时间： 2024-01-10 05:58:25

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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1页	104K
描述
Transistor

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KTD1351GR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	150
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

KTD1351GR 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 220

KTD1351 TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Low Saturations Voltage

APPLICATIONS

General Purpose Applications

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100µA,I_E=0

I_C=50mA,I_B=0

I_E=100µA,I_C=0

V_CB=60V,I_E=0

0.1

300

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=7V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=5V, I_C=0.5A

I_C=2A,I_B=0.2A

V_CE=5V, I_C=0.5A

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=5V,IC=0.5A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Collector output capacitance

Transition frequency

C_ob

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

150-300

RANGE

60-120

100-200

A,Dec,2010

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