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KTD1047B PDF预览

KTD1047B

更新时间： 2024-09-27 12:20:39
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KEC 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 365K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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KTD1047B 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

KTD1047B 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTD1047B  
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.  
A
FEATURES  
B
Q
N
O
K
· Complementary to KTB817B.  
· Recommended for 60W Audio Frequency  
Amplifier Output Stage.  
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
+
15.60 0.20  
_
B
C
D
d
+
4.80 0.20  
_
+
19.90 0.20  
_
2.00 0.20  
+
_
+
1.00 0.20  
_
E
+
3.00 0.20  
_
+
3.80 0.20  
F
G
H
I
_
3.50 + 0.20  
D
E
_
13.90 0.20  
+
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
_
12.76 0.20  
+
_
23.40 + 0.20  
J
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
160  
UNIT  
V
M
K
L
M
d
1.5+0.15-0.05  
_
16.50 + 0.30  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
_
1.40 0.20  
+
_
13.60 + 0.20  
N
O
P
P
P
T
140  
V
_
+
9.60 0.20  
_
+
5.45 0.30  
6
V
_
3.20 0.10  
+
_
+
18.70 0.20  
Q
1
2
3
R
T
DC  
Collector Current  
Pulse  
12  
0.60+0.15-0.05  
A
1. BASE  
ICP  
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
15  
PC  
100  
W
℃
℃
Collector Power Dissipation (Tc=25℃)  
Junction Temperature  
Tj  
150  
TO-3P(N)-E  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55∼ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
hFE (1) (Note) VCE=5V, IC=1A  
TEST CONDITION  
VCB=80V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
0.1  
UNIT  
mA  
-
-
-
-
Emitter Cut-off Current  
0.1  
mA  
60  
20  
-
-
200  
DC Current Gain  
hFE  
2
VCE=5V, IC=6A  
-
VCE(sat)  
VBE(ON)  
fT  
IC=5A, IB=0.5A  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
Turn On Time  
-
2.5  
V
V
VCE=5V, IC=1A  
-
-
1.5  
VCE=5V, IC=1A  
-
15  
210  
0.26  
0.68  
6.88  
-
-
-
-
-
MHz  
pF  
Cob  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
-
ton  
-
VCC=20V  
tf  
Fall Time  
-
IC=1A=10· IB1=-10· IB2  
RL=20Ω  
μS  
tstg  
Storage Time  
-
Note : hFE(1) Classification O:60∼ 120, Y:100∼ 200  
2011. 3. 18  
Revision No : 0  
1/3  
123

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