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KTD1146GR

更新时间： 2024-09-27 14:51:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	111K
描述
Transistor

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KTD1146GR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

KTD1146GR 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92

KTD1146 TRANSISTOR (NPN)

1.EMITTER

2.COLLECTOR

3.BASE

FEATURES

Low V_CE(sat)

High Performance at Low Supply Voltage.

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

0.625

200

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_{(BR) CEO}

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 0.1mA ,I_E=0

I_C=1mA,I_B=0

I_E=0.01mA,I_C=0

V_CB=20V,I_E=0

0.1

700

0.4

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=7V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=2V, I_C=500mA

I_C=3A,I_B=60mA

V_CE=6V,I_C=50mA

120

Collector-emitter saturation voltage

Transition Frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

350-700

RANGE

120-240

200-400

A,Dec,2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTD1302	TYSEMI	获取价格	Collector Power Dissipation: PC=500mW
KTD1302	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
KTD1302	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO MUTING)
KTD1302	CJ	获取价格	SOT-89-3L
KTD1302	FOSHAN	获取价格	TO-92
KTD1302	KEXIN	获取价格	NPN Transistor
KTD1302	HOTTECH	获取价格	SOT-89
KTD1303	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO MUTING)
KTD1304	WEITRON	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
KTD1304	BL Galaxy Electrical	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor