Datasheet > KTC4527F

KTC4527F

更新时间： 2024-01-03 22:22:24

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体开关晶体管高压局域网
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELLABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KTC4527F 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220IS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.43
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

KTC4527F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC4527F

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY

HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA

DIM MILLIMETERS

10.30 MAX

15.30 MAX

2.70Ź0.30

0.85 MAX

Ѹ3.20Ź0.20

3.00Ź0.30

12.30 MAX

0.75 MAX

13.60Ź0.50

3.90 MAX

1.20

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

1100

800

1.30

2.54

4.50Ź0.20

6.80

2.60Ź0.20

10Ɓ

Pulse

Collector Current

I_CP

25Ş

5Ş

I_B

Base Current

1.5

0.5

2.60Ź0.15

Collector Power Dissipation

(Tc=25ᴱ)

P_C

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

T_j

Junction Temperature

150

ᴱ

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

TO-220IS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=800V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX. UNIT

ỌA

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

I_C=1.5A, I_B1=-I_B2=0.3A

L=2mH, Clamped

I_C=1.5A, I_B=0.3A

V_CEX(SUS)

Collector-Emitter Sustaning Voltage

800

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

1.5

I_C=1.5A, I_B=0.3A

h_FE(1) (Note) V_CE=5V, I_C=0.2A

DC Current Gain

h_FE(2)

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

C_ob

V_CE=5V, I_C=1A

I_C=1mA, I_E=0

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Output Capacitance

Transition Frequency

1100

800

I_C=5mA, R_BE=ᴬ

I_E=1mA, I_C=0

V_CB=10V, f=1MHz, I_E=0

V_CE=10V, I_C=0.2A

f_T

MHz

OUTPUT

t_on

t_stg

t_f

Turn On Time

0.5

20µS

INPUT

Switching

Storage Time

Time

200Ω

ỌS

=0.4A , I =-0.8A

DUTY CYCLE 1%

=400V

Fall Time

0.3

Note : h_FE(1) Classification R:15ᴕ30, O:20ᴕ40

2001. 4. 9

Revision No : 0

1/3

12 3

下载PDF

与KTC4527F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KTC4527F_02	KEC	TO-220IS PACKAGE	获取价格
KTC4666	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)	获取价格
KTC4666_08	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR	获取价格
KTC4793	KEC	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER DRIVER STAGE AMPLIFIER)	获取价格
KTC5027	KEC	TO-220AB PACKAGE	获取价格
KTC5027F	KEC	TO-220IS PACKAGE	获取价格