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KTC4373Y-TP

更新时间： 2024-11-18 19:45:27

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	339K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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KTC4373Y-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTC4373Y-TP 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

KTC4373

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

NPN

RoHS Compliant. See ordering information)

Low noise

Excellent h_FE

•

Plastic-Encapsulate

linearity

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

Transistors

ꢀ

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

Unit

120

ꢀ

SOT-89

0.8

ꢀ

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

0.5

ꢀ

T_J

150

ꢀ

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Typ

ꢀ

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

ꢀ

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB= 120Vdc)

---

100

nAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB= 5.0Vdc)

100

ON CHARACTERISTICS

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

Collector-base breakdown voltage 120

(I_C=1mAdc)

---

Vdc

---

Collector-emitter

voltage (I_C= 10mAdc)

breakdown

120

---

1. BASE

Emitter-base breakdown voltage

(I_E=1mAdc)

---

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ꢀ

DC Current Gain

(I_C=0.1Adc, V_CE= 5 .0Vdc)

---

240

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V_CE(sat)

Collector Saturation Voltage

(I_C=0.5Adc, I_B=50mAdc)

---

Vdc

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1.55

ꢇꢇꢇꢇꢇ

.061

ꢇꢇꢇꢇꢇ

REF.

C_ob

Output Capacitance

(V_CE= 10.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

---

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Transition frequency

(V_CE=5Vdc, I_C=500mAdc)

f_T

120

---

MHz

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ꢎꢍꢔꢕꢆ

h^FECLASSIFICATION

Rank

Marking

Range

80-160

120-240

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 2

2009/12/08

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTC4374	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
KTC4374	TYSEMI	获取价格	Product specification
KTC4374	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
KTC4374	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
KTC4374	CJ	获取价格	SOT-89-3L
KTC4374	KEXIN	获取价格	NPN Transistor
KTC4374_15	WINNERJOIN	获取价格	NPN TRANSISTOR
KTC4374Y	CJ	获取价格	Transistor
KTC4375	WEITRON	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
KTC4375	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)

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