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KTA1535T

更新时间： 2024-02-16 09:38:21

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KEC		晶体晶体管局域网
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3页	86K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTA1535T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

KTA1535T 数据手册

KTA1535T

I _C- V_BE

f_T- I_C

-3.5

-3.0

-2.5

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

=-2V

500

300

100

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

(V)

-1.2

-0.01

-0.03

-0.1

-0.3

-1

-3

COLLECTOR CURRENT I (A)

BASE-EMITTER VOLTAGE V

C_ob- V_CB

SAFE OPERATING AREA

-10

f=1MHz

MAX.(PULSED)

-5

-3

500

300

MAX

(CONTIN-

UOUS)

-1

100

-0.5

-0.3

SINGLE NONREPETITIVE

PULSE Ta=25 C

-0.1

CURVES MUST BE DERATED

LINEARLY WITH INCREASE

IN TEMPERATURE

-0.05

-1

-3

-5

-10

-30

MOUNTED ON A CERAMIC BOARD

(600mm²`0.8mm)

-0.02

COLLECTOR-BASE VOLTAGE V (V)

-0.2

-1

-3

-10

(V)

-20

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V

Pc - Ta

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

MOUNTED ON A

CERAMIC BOARD

(600mm²`0.8mm)

140 160

80 100 120

AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)

2001. 6. 28

Revision No : 0

3/3

1 23

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