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KTA1552T

更新时间： 2024-01-12 12:19:56

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KEC		晶体驱动器转换器继电器晶体管开关光电二极管电机 DC-DC转换器
页数	文件大小	规格书
4页	94K
描述
DC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.

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KTA1552T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	360 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1552T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA1552T

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

DC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,

MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

ᴌAdoption of FBET, MBIT Processes.

ᴌHigh Current Capacitance.

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

0.70+0.05

ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.

ᴌHigh-Speed Switching.

0.4+0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

ᴌUltrasmall Package Facilitates Miniaturization in end Products.

ᴌHigh Allowable Power Dissipation.

ᴌComplementary to KTC3552T.

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-50

UNIT

1. EMITTER

2. BASE

Collector-Base Voltage

-50

3. COLLECTOR

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-6

-3

TSM

Collector Current

I_CP

Pulse

-6

I_B

Base Current

-600

0.9

Marking

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Lot No.

150

ᴱ

T_stg

-55ᴕ150

ᴱ

Type Name

S L

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP. MAX. UNIT

V_CB=-40V, I_E=0

-0.1

ỌA

I_EBO

V_EB=-4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

-0.1

V_(BR)CBO

V_(BR)CES

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C=-10ỌA, I_E=0

-50

-6

I_C=-100ỌA, V_BE=0

I_C=-1mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_E=-10ỌA, I_C=0

I_C=-1A, I_B=-50mA

I_C=-2A, I_B=-100mA

V_CE=-2V, I_C=-100mA

V_CE=-10V, I_C=-500mA

V_CB=-10V, f=1MHz

-100

-185

-0.88

-200

-500

-1.2

560

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

200

f_T

Transition Frequency

360

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

PW=20µs

t_on

t_stg

t_f

Turn-On Time

230

DC 1%

OUTPUT

INPUT

Swiitching

Storage Time

Time

50Ω

100µF

=5V

470µF

=-25V

Fall Time

-10I =10I =I =-1A

2001. 6. 28

Revision No : 0

1/3

12 3 4

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