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KTA1544T PDF预览

KTA1544T

更新时间： 2024-02-12 05:27:14
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体驱动器继电器晶体管开关光电二极管电机
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION.

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KTA1544T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

KTA1544T 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTA1544T  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,  
MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION.  
E
B
K
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
ᴌAdoption of MBIT Processes.  
_
A
B
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
ᴌLarge Current Capacitance.  
_
C
D
0.70+0.05  
2
1
3
ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.  
ᴌHigh Speed Switching.  
_
0.4+0.1  
E
F
2.8+0.2/-0.3  
1.9+0.2  
_
G
0.95  
ᴌUltrasmall Package facilitates miniaturization in end products.  
ᴌHigh Allowable Power Dissipation.  
ᴌComplementary to KTC3544T.  
_
H
I
J
K
L
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
0.55  
I
H
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
J
J
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-30  
UNIT  
V
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
-30  
V
-6  
V
DC  
-2  
Collector Current  
A
TSM  
ICP  
Pulse  
-4  
IB  
Base Current  
-400  
0.9  
mA  
W
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Marking  
Lot No.  
150  
ᴱ
Tstg  
-55ᴕ150  
ᴱ
Type Name  
S N  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
VCB=-20V, IE=0  
-
-
-
-0.1  
ỌA  
ỌA  
V
IEBO  
VEB=-3V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-0.1  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
IC=-10ỌA, IE=0  
-30  
-30  
-6  
-
-
-
-
IC=-1mA, IB=0  
-
-
V
IE=-10ỌA, IC=0  
-
V
IC=-1.5A, IB=-75mA  
IC=-1.5A, IB=-75mA  
VCE=-2V, IC=-100mA  
VCE=-10V, IC=-50mA  
VCB=-10V, f=1MHz  
-350  
-0.85  
-
-600  
-1.2  
560  
-
mV  
V
-
200  
-
fT  
Transition Frequency  
150  
32  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
B2  
PW=20µs  
B1  
ton  
tstg  
tf  
Turn-On Time  
-
-
-
60  
350  
25  
-
-
-
I
<
DC 1%  
=
OUTPUT  
INPUT  
R
B
24Ω  
V
R
Swiitching  
Storage Time  
Time  
50Ω  
nS  
100µF  
=5V  
470µF  
V
V
=-12V  
Fall Time  
CC  
BE  
-20I =20I =I =-500mA  
B1  
C
B2  
2001. 11. 7  
Revision No : 0  
1/3  
123

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