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KTA1536T

更新时间： 2024-11-17 03:48:55

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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3页	89K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTA1536T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

KTA1536T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA1536T

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,

MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

ᴌAdoption of MBIT Processes.

ᴌHigh Current Capacitance.

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

0.70+0.05

ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.

ᴌHigh Speed Switching.

0.4+0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

ᴌUltrasmall-Sized Package permitting applied sets to be

made small and slim.

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

ᴌHigh Allowable Power Dissipation.

ᴌComplementary to KTC3536T.

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

1. EMITTER

2. BASE

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

-20

3. COLLECTOR

-5

TSM

Collector Current

I_CP

Pulse

-8

I_B

Base Current

1.2

Marking

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

0.9

ᴱ

Lot No.

150

-55ᴕ150

T_stg

Type Name

S E

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP. MAX. UNIT

V_CB=-12V, I_E=0

V_EB=-4V, I_C=0

-0.1

ỌA

I_EBO

Emitter Cut-off Current

-0.1

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

I_C=-10ỌA, I_E=0

-20

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10ỌA, I_C=0

I_C=-3A, I_B=-60mA

V_CE=-2V, I_C=-500mA

V_CB=-10V, f=1MHz

-200

-0.85

-300

-1.2

560

200

f_T

Transition Frequency

140

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

PW=20µs

t_on

t_stg

t_f

Turn-On Time

120

DC 1%

OUTPUT

INPUT

Swiitching

Storage Time

Time

50Ω

100µF

=5V

470µF

=-5V

Fall Time

-20I =20I =I =-3A

2001. 6. 30

Revision No : 0

1/3

12 3

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