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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST5401MTF
KST5401MTF PDF预览

KST5401MTF

更新时间： 2024-01-11 07:30:54
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
High Voltage Transistor

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KST5401MTF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.24其他特性：HIGH VOLTAGE
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

KST5401MTF 数据手册

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KST5401  
High Voltage Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-160  
-150  
-5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
-500  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -100µA, I =0  
-160  
-150  
-5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1.0mA, I =0  
C B  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
V
= -100V, I =0  
-50  
nA  
CBO  
CB  
E
h
DC Current Gain  
V
V
V
= -5V, I = -1.0mA  
50  
60  
50  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -10mA  
240  
C
= -5V, I = -50mA  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -10mA, I = -1.0mA  
-0.2  
-0.5  
V
V
CE  
C
B
I = -50mA, I = -5mA  
C
B
(sat)  
I = -10mA, I = -1.0mA  
-1.0  
-1.0  
V
V
BE  
C
B
I = -50mA, I = -5mA  
C
B
f
I = -10mA, V = -10V  
100  
300  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
= -10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
8.0  
pF  
dB  
ob  
CB  
E
NF  
V
= -5V, I = -200µA  
C
CE  
R =10KΩ, f=10Hz to 15.7KHz  
S
Marking  
2L  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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KST5401MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5401-TP MCC

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 High Voltage Transistor(PNP Silicon)

与KST5401MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST5401S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
KST5401TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
KST5401-TF SAMSUNG

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 		500mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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KST5401TR SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23
KST55 FAIRCHILD

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 		Driver Transistor
KST5550 FAIRCHILD

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 		High Voltage Transistor
KST5550L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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