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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST5550MTF_NL
KST5550MTF_NL PDF预览

KST5550MTF_NL

更新时间： 2024-09-26 13:00:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3

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KST5550MTF_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.76最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KST5550MTF_NL 数据手册

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KST5550  
High Voltage Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
160  
140  
6
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
160  
140  
6
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=100V, I =0  
100  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=4V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
V
=5V, I =1.0mA  
60  
60  
20  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=5V, I =10mA  
250  
C
=5V, I =50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.15  
0.25  
V
V
CE  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
I =10mA, I =1mA  
1.0  
1.2  
V
V
BE  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
f
I =10mA, V =10V  
100  
300  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
CB E  
6.0  
pF  
ob  
Marking  
1F  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST5550S62Z FAIRCHILD

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KST5550TF SAMSUNG

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