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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST5401TI | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
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| KST5401TR | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
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| KST540TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
|
| KST540TR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
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| KST55 | FAIRCHILD |
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Driver Transistor |
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| KST5550 | FAIRCHILD |
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High Voltage Transistor |
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| KST5550L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KST5550MTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| KST5550MTF | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| KST5550MTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD F |
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