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KST55 PDF预览

KST55

更新时间： 2024-02-08 08:03:17
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管光电二极管驱动放大器
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
Driver Transistor

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KST55 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.57最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KST55 数据手册

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KST55/56  
Driver Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KST55: - 60V  
KST56: - 80V  
CEO  
3
•
•
Collector Power Dissipation: P (max) = 350mW  
Complement to KST05/06  
C
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST55  
: KST56  
-60  
-80  
V
V
CEO  
: KST55  
: KST56  
-60  
-80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-4  
V
mA  
EBO  
I
-500  
350  
150  
357  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
mW  
°C  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: KST55  
: KST56  
I = -1mA, I =0  
-60  
-80  
V
V
C
B
BV  
* Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
-4  
V
EBO  
E
C
I
I
V
= -60V, I =0  
-0.1  
µA  
CBO  
CEO  
CB  
E
Collector Cut-off Current  
: KST55  
V
V
= -60V, I =0  
= -80V, I =0  
B
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CE  
CE  
B
: KST56  
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -10mA  
50  
50  
FE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -10mA  
-0.25  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -1V, I = -100mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
Marking Code  
Type  
KST55  
2H  
KST56  
2G  
2H  
Mark  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
123

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