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KST55L99Z PDF预览

KST55L99Z

更新时间： 2024-09-26 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KST55L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KST55L99Z 数据手册

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KST55/56  
Driver Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= KST55: - 60V  
KST56: - 80V  
3
CEO  
•
•
Collector Power Dissipation: P (max) = 350mW  
Complement to KST05/06  
C
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST55  
: KST56  
-60  
-80  
V
V
CEO  
: KST55  
: KST56  
-60  
-80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-4  
V
mA  
EBO  
I
-500  
350  
150  
357  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
mW  
°C  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: KST55  
: KST56  
I = -1mA, I =0  
-60  
-80  
V
V
C
B
BV  
* Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
-4  
V
EBO  
E
C
I
I
V
= -60V, I =0  
-0.1  
µA  
CBO  
CEO  
CB  
E
Collector Cut-off Current  
: KST55  
V
V
= -60V, I =0  
= -80V, I =0  
B
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
CE  
CE  
B
: KST56  
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -10mA  
50  
50  
FE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -10mA  
-0.25  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -1V, I = -100mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
Marking Code  
Type  
KST55  
2H  
KST56  
2G  
2H  
Mark  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
123

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