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KST5179MTF PDF预览

KST5179MTF

更新时间： 2024-11-01 18:56:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

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KST5179MTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：900 MHz
Base Number Matches：1

KST5179MTF 数据手册

 浏览型号KST5179MTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KST5179MTF的Datasheet PDF文件第3页 
KST5179  
RF Amplifier Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
12  
V
CEO  
EBO  
2.5  
V
I
50  
mA  
mW  
mW/°C  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
350  
C
a
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
2.8  
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
20  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
I =0.01mA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
I =3mA, I =0  
12  
C
B
I =0.01mA, I =0  
2.5  
V
E
C
I
V
=15V, I =0  
0.02  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=1V, I =3mA  
25  
FE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.4  
1
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I =10mA, I =1mA  
C B  
BE  
f
V
=6V, I =5mA, f=100MHz  
900  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
CE  
C
C
V
V
V
=10V, I =0, f=0.1MHz to 1MHz  
1
ob  
fe  
E
h
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
=6V, I =2mA, f=1KHz  
25  
15  
C
NF  
=6V, I =1.5mA, f=200MHz  
4.5  
dB  
dB  
C
R =50Ω  
S
G
Power Gain  
V
=6V, I =5mA, f=200MHz  
CE C  
PE  
Marking  
7H  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
123

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