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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST52 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Darlington Transistors |
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| KST52(BST52) | KEXIN |
获取价格 |
NPN Darlington Transistors |
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| KST5401 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
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| KST5401D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| KST5401MTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
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| KST5401MTF | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KST5401S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| KST5401TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| KST5401-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
500mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| KST5401TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23 |
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