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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 4.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 3300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5030 | SAMSUNG |
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NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY) |
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| KSC5030 | FAIRCHILD |
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High Voltage and High Reliabilty |
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| KSC5030F | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage and High Reliability |
|
| KSC5030F | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| KSC5030F_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Fast Switching Transistor |
|
| KSC5030FO | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| KSC5030FOTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5030F-R | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5030FRTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Fast Switching Transistor |
|
| KSC5030FTBTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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