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KM616BV4002J-13

更新时间： 2024-09-21 19:50:07

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三星 - SAMSUNG		输入元件信息通信管理静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	365K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 13ns, BICMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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KM616BV4002J-13 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	13 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	长度：	28.58 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.235 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.13 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616BV4002J-15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, BICMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
KM616FR1000R-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR1000RI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR1000RI-30L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR1000T-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FR1000T-30L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR1000TI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FR1000TI-30L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR1000Z-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR1000ZI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48