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KM616FR1010ZI-30

更新时间： 2024-09-21 21:16:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	273K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48

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KM616FR1010ZI-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	ALSO OPERATES IN 2.5V NOMINAL SUPPLY	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.81 mm	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FR2000RI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 300ns, CMOS, PDSO44
KM616FR2000ZI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 300ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR4010ZI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FR4110ZI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FS1000R-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44
KM616FS1000R-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 120ns, CMOS, PDSO44
KM616FS1000R-15L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PDSO44
KM616FS1000RI-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 120ns, CMOS, PDSO44
KM616FS1000RI-15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 150ns, CMOS, PDSO44
KM616FS1000T-12L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 120ns, CMOS, PDSO44