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KM616FS1000R-10

更新时间: 2024-11-10 19:44:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 730K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44

KM616FS1000R-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.3/3.2 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:1 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

KM616FS1000R-10 数据手册

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