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KM616FS2000ZI-10

更新时间： 2024-09-21 19:43:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
2页	152K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48

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KM616FS2000ZI-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.81 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FS2000ZI-15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM616FS2010A	SAMSUNG	获取价格	SRAM
KM616FS2010AZI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
KM616FS2010AZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
KM616FS4110ZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48
KM616FU1000R-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000R-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000TI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000TI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1010AFI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48